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众所周知,玩家对内存频率的追求是没有上限的,所以厂商也在不断的尝试改进。就在最近,SK海力士公布了旗下首款DDR5-6400内存芯片,主频很高,是大部分DDR4内存的两倍左右,单个容量为16Gb(2GB)。
而且根据SK海力士的官方介绍,他们的DDR5-6400内存采用1ynm工艺制造,是第二代10nm工艺(DRAM工艺现在很少定义到个位数),有四层金属层,面积平方毫米。这是什么概念?意味着SK海力士之前的8Gb(1GB)第一代21nm工艺的DDR4内存芯片,面积达到了76平方毫米,意味着现在在同样的面积下实现了两倍的容量,两倍的存储密度,非常恐怖。
当然,存储密度翻倍可以有效抵消成本上涨,更不用说做更小的4Gb芯片了。另外,新内存的工作电压只有1.1V,比DDR4标准的1.2V低8%左右,很多高频的DDR4内存都要加到甚至危险的1.5V。
根据之前的信息,目前三星电子、SK海力士、美光等巨头都在为DDR5冲刺,但行业规范还没有最终确定。原计划在2018年底发布的标准尚未确定,该组织也从未给出新的时间表。另一方面,智能手机等低功耗便携式设备的一切都已经完成。
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